第九百五十六章：技术方向
第一点，硅基芯片的沟长极限为12纳米，而我们的晶体管可以缩小到10纳米，同时保持理想的亚阈值摆幅75毫伏量程。
第二点，硅基芯片目前的理论极限是典雅0.6伏，我们的弹道二维硒化铟晶体管可以将电压缩小到0.5伏，将器件电流从100纳安/微米标准关态打开到超过1毫安/微米开态。
第四点，门延时缩减到0.32皮秒，四倍优势于硅基极限1.26皮秒。
最后就是我们这种晶体管的功耗延迟积缩减到4.32e-29焦秒/微米，比硅基芯片的理论极限低一个量级。”
在彭德行教授说出这四个优势的时候，现场这些位科学家、半导体工程师神态各异，但眼神却有着相同的惊奇、佩服。
周瑜看到这一幕，并没有浪费时间，等了几秒之后就使用平板进入了自己的云端文件库，在与彭德行教授耳语了几句之后，这才将弹道二维硒化铟晶体管与硅基晶体管的技术比较图片资料放在了身后的大屏幕上。
然后他才鼓掌，吸引众人的目光，开口说道：“彭教授团队做这个项目的时间其实并不短，只不过以前他们团队能够用到的资源太少，不论是实验资金还是实验设备，距离国际顶尖半导体工厂还是有一定的距离，在进入咱们集团之后，我们没有调整团队人员的工作岗位，并且增加了研究员、工程师，并且在征求同意之后，将实验需求与公司、工厂以及合作企业做了对接。
彭教授，这些图表的数据，您比我更加清楚，我也相信在座的大家都很想要更深入仔细了解该晶体管的具体优势，您上台讲讲吧。”
见状，其他人也赶忙说道：“彭教授，讲一讲吧！我们真的好奇！”
“老彭，快讲一讲。”
看到这些熟悉的面孔这样焦急，彭德行又转头看向已经走到主讲台上做邀请姿态的青年董事。
想起自己最开始在京兆大学的不被看好，后面有了一些成果，也没有办法进行顶级半导体设备的参与测试，到进入新科集团之后被一堆顶级资源包围，只要理论方向没有问题，就能够申请试用，试用有优秀结果，后续更是能够长时间使用。
人心一念，彭德行欣然接受，带着战友和学生们走到主讲台前。
周瑜退到了一旁，将舞台交给了这个团队。
很快，在这个房间响起了讲解弹道二维硒化铟晶体管的声音。
“图1a描述了设计具有良好导通和关断特性的超尺度弹道晶体管的基本物理规则，主要就是两个比较关键的材料数据——热速度和缩放长度。超算模拟计算和测试结果表明，我们创新这种y-inse结构的能量最低，是所有潜在结构中最稳定的。
图2a显示了弹道晶体管与其他二维短通道场效应晶体管的七个典型饱和输出特性的比较，测试结果也证明二维inse fet其他短通道二维fet的电压要低得多……”
本来刚开始大家都在听弹道二维硒化铟晶体管的技术，随后听着听着，包括李贤审、郑承夏、杨刚省在内的技术高管就有些明悟了。
现在硅基芯片的性能、功耗还有一个进步方向！
就是用弹道二维硒化铟晶体管代替以往的晶体管结构。
这样可以做到在不需要大范围更换设备的情况下，再一次将新科半导体掌握的5纳米工艺和5+纳米工艺芯片的性能再向前进一大步，跨越式领先。
预计的技术极限又被打破。
而且弹道二维硒化铟晶体管是基于二维材料硒化铟（inse）的晶体管，而不是基于碳基材料，所以这代表着新科半导体可以在硅基芯片领域保持领先优势的时间被再一次延长。
只不过彭德行讲解的速度很快，周瑜还没有感觉自己休息多久，就在一旁听到这位半导体大佬讲道：“不论是当初在学校实验室进行的项目实验，还是到咱们新科半导体任职，我都越发坚信，只有拥有自主技术才不会被其他人卡住未来。