第九百五十五章：讨论(第2页)

 当然还有的多重曝光技术、多颗芯片以堆叠的方式封装在一起的3d封装技术，也是其他项目组在做的，咱们在座的各位也都有一部分精力被分到这些项目当中。

 所以，咱们或许要换一个脑子，来想象碳基芯片这个项目的工艺方向。”

 换一个脑子？

 李贤审听到周瑜说出这番话的时候，也下意识摸了摸自己的额头。

 但是郑承夏教授却根本就没给周瑜故弄玄虚的机会，直接开口说道：“董事长你说的是让我们换个思维方式吧？”

 周瑜对这位老教授伸出了右手大拇指点赞。

 “没错，就是换一个思维方式，不要将碳基芯片当做硅基半导体芯片去做，要从最初的选材就开始自己探索。

 比如硅基芯片的大概制造流程就是先找到品质比较

好的硅石，提纯二氧化硅（sio）然后冶炼成为硅锭，制成硅棒，升级为芯片级单晶硅棒，再切割成硅片，选择出最优秀的硅片晶圆，然后使用光刻技术在晶圆上，用光雕琢出芯片。

 现在咱们研发硅基芯片受到的限制，其根本原因就是由于硅原子的物理特性以及隧穿效应的影响。

 硅原子的直径约为0.12纳米，当芯片的制程缩小到1纳米时，已经无法再继续增加晶体管的数量，因为硅原子的大小限制了芯片的进一步缩小。

 此外，当芯片的制程达到1纳米时，隧穿效应会变得非常明显，导致电流无法按照预期流动，从而影响芯片的性能和稳定性。

 哪怕是使用euv光刻机和finfet结构等技术手段进行升级，但这些技术虽然能在一定程度上提高性能，却无法完全克服物理极限！”

 周瑜随手拿过一块还未使用的黑板，用特制的磁性笔在上面书写着硅基芯片的简略制造流程和缺陷。

 虽然现实商业竞争当中，台积电还在想着竞争5纳米工艺，梦想着突破3纳米工艺，但是周瑜早就已经看到了五纳米以下制程技术的迭代困难程度。

 现在基于硅基芯片研发的技术工艺，的确是全球顶尖但是在数年之后，先进的设备也会变得落后，硅基芯片的未来前景早就已经有了厚厚的一层阴影。

 之所以之前没有带领公司的工程师们直接推进碳基芯片项目，也是因为整个大夏联邦的半导体产业人才、资源还没有如今这样丰富和强大，自家公司的半导体人才、设备、研发经验太过稀缺。

 而现在，硅基芯片项目快摸到天花板了，也是时候带着这群半导体精英工程师向碳基芯片冲锋了。

 李贤审、郑承瀚以及负责新科光源项目的高管周潭、光刻胶项目的负责人杨刚省、李明伟；抛光项目的工程师李毅风、晶圆培育负责人李明伟等人，在一众专家教授、半导体顶级工程师的陪伴下，耐心听着周瑜梳理技术脉络。

 虽然这些内容都是行业最浅显的知识，但是在这一行干的时间太久，他们也在工作中发现有不少人会干着干着就开始“钻牛角尖”，在细分的职业赛道上狂奔，逐渐忘了行业其他环节的技术协同。

 随后，周瑜在黑板上画起了一个晶体管的特殊设计方案。

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 “毫无疑问，现在学术界的共识是使用碳纳米管制备碳基芯片，并且在我们的探索实验过程中也的确发现碳基芯片比硅基芯片有更多优势，所以我们先不要考虑那些有的没有，先从最基础的材料，还有这根晶体管着手。

 当然首先要做的就是需要提纯，得到现有程度能够做到的最高纯度，最高性能碳纳米管晶体管的无掺杂制备方法，对于碳纳米管材料的要求，现阶段可以定为50纳米，然后一步步迭代到现在硅基芯片的5纳米。

 除此之外，大家这段时间看到咱们彭教授团队的最新成果没有？”

 周瑜原本还在讲技术项目，但突然这么一嗓子，让不少刚刚进入科研状态的中年人大脑突然宕机。